october, 2020
Event Details
Цель: получить опыт практического проектирования скоростных приложений на печатной плате (DDR3/4, USB3, PCI Express, Gigabit Ethernet). Категории слушателей: разработчики и конструкторы, прошедшие начальное обучение по программе «Работа с пакетом САПР Altium Designer» (базовый
more
Event Details
Цель: получить опыт практического проектирования скоростных приложений на печатной плате (DDR3/4, USB3, PCI Express, Gigabit Ethernet).
Категории слушателей: разработчики и конструкторы, прошедшие начальное обучение по программе «Работа с пакетом САПР Altium Designer» (базовый уровень).
Срок обучения: 24 академических часа с включением практических занятий и выполнения итоговой работы.
Форма обучения: очная с отрывом от производства.
Режим занятий: 8 часов ежедневно.
Преподаватель: Кухарук В.С.
Скачать программу курса в .pdf
№ | Наименование разделов, дисциплин и тем | Всего часов | По видам обучения | |
лекции | практические занятия | |||
1 | Теоретическая часть
§ Примеры высокоскоростных интерфейсов. § Параметры быстродействия. § Модель линии передачи. § Электрические параметры. § Электрическая длина линии передачи. § Помехи в линиях передачи. § Согласование длинных линий. § Потери в линиях передачи. § Перекрестные помехи в линиях передачи. § Методология проектирования скоростных приложений на многослойных печатных платах (МПП). |
6 | 6 | – |
2 | Определение технологических параметров и основных правил
§ Особенности проектирования плат для производства. § Выбор технологических параметров платы. § Задание правил проектирования. § Режимы контроля правил. § Размещение компонентов. |
1 | 1 | – |
3 | Расчет структуры линий передач и стека ПП с учетом контроля импеданса
§ Примеры линий передач. § Дифференциальные линии. § Параметры, которые необходимо учитывать при расчете волнового сопротивления. § Выбор материалов и покрытий. § Расчет волнового сопротивления. § Формирование структуры МПП. § Примеры структур МПП. |
2 | 1 | 1 |
4 | Параметры переходных отверстий и создание фэнаутов
§ Правила и примеры использования микроотверстий (глухих и слепых отверстий). § Пример использования технологий обратного высверливания. § Инструменты и варианты создания фэнаутов. § Изменение параметров линий передач в области повышенной плотности (под BGA-корпусами). |
2 | 1 | 1 |
5 | Техника трассировки
§ Варианты размещения и трассировки для пассивных компонентов. § Геометрия изгиба трассировки. § «Земля» и питание. § Опорные слои (вырезы в полигоне). § Путь возвратного сигнала. § Дифференциальные пары. § Линии передачи на плате. § Фильтрация и заземление. |
1 | 1 | – |
6 | Размещения и предварительная компоновка плат с DDR-памятью
§ Обзор интерфейсов памяти DDR3/4. § Структура сигналов и групп (классы цепей, дифференциальные пары, XSignals). § Варианты топологий T-branch и Fly-By. § Общие требования и ограничения к DDR3/4. § Оптимизация связей (взаимозаменяемость выводов, ячеек, дифф. пар). § Планирование размещения компонентов и сигналов по слоям. § Задание правил трассировки DDR3/4. § Импеданс и стек ПП. |
3 | 1 | 2 |
7 | Трассировка высокоскоростных интерфейсов
§ Установка правил для высокоскоростных сигналов и шин. § Инструменты трассировки. § Применение инструментов для ускорения трассировки и оптимизации проводников. § Примеры (DDR4, USB3, PCI Express, Gigabit Ethernet). |
4 | 1 | 3 |
8 | Согласование длины проводников
§ Общие сведения о тайминге в линиях передач. § Маршрут согласования длин трасс. § Инструменты согласования длин. § Примеры (DDR4, USB3, PCI Express, Gigabit Ethernet). |
1 | – | 1 |
9 | Формирование распределенной системы питания и заземления
§ Расчет параметров силовых цепей (ширина проводников, полигонов, параметры переходных отверстий). § Размещение полигонов питания и опорных слоев. |
3 | 1 | 2 |
10 | Контроль правил проектирования DRC и DFM
§ Инструменты контроля правил. § Вывод отчета. § Устранение ошибок при нарушении правил. |
1 | – | 1 |
ИТОГО | 24 | 13 | 11 |
Time
october 19 (Monday) - 21 (Wednesday)
Organizer
Кухарук Вячеслав Степановичkuharuk@skat-pro.com